Sensor Foto Refletivo

Este é um sensor refletivo que combina um diodo emissor de luz infravermelha de GaA1As com um fototransistor Darlington de alta sensibilidade em um mini encapsulamento.

Recursos

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• Compacto

• Alto desempenho

• Alta saída

• Fácil de montar em PCB

• Amplamente aplicável

Ideias de Aplicação

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• Sensores de temporização

• Sensores de borda

• Unidades de disco micro disquete

• Sensores de nível de líquido

Especificação

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Valores Máximos (Ta=25℃)

Item		Symbol	Rating	Unit
Input	Dissipação de Potência	PD	100	mW
	Tensão Reversa	VR	5	V
	Corrente Direta	IF	50	mA
	Corrente Direta de Pulso *1	IFP	1	A
Output	Dissipação de Potência do Coletor	Pc	100	mW
	Corrente de Coletor	Ic	20	mA
	Tensão C-E	VCEO	30	V
	Tensão E-C	VECO	5	V
Temperatura de Operação		Topr	-10~+65	℃
Temperatura de Armazenamento		Tstg	-25~+85	℃
Temperatura de Soldagem*2		Tsol	260	℃

Características Eletro-ópticas (Ta=25℃)

Item		Symbol	Conditions	Min	Typ	Max	Unit
Input	Tensão Direta	VF	IF=20mA		1.2	1.6	V
	Corrente Reversa	IR	VR=5V			10	µA
	Capacitância	Ct	V=0V, f=1kHZ		25		pF
	Comprimento de Onda de Pico	λP			940		nm
Output	Corrente de Escuro do Coletor	ICEO	VCE=20V			0.1	µA
	Corrente de Luz	IL	VCE=5V,IF=20mA	50			µA
	Corrente de Fuga	ICEOD	VCE=5V,IF=10mA			1	µA
Velocidades de Comutação	Tempo de Subida	tr	Vcc=5V, Ic=1mA, RL=1kΩ		15		µsec
	Tempo de Queda	tf			15		µsec

Dimensões Mecânicas

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